赛维LDK致力于追求满足现在及未来光伏市场需求的产品，成功研发并推出“高效多晶M系列硅片”、 “赛单晶青山系列硅片”。 新型高效多晶硅片采用了特有的铸锭技术，其中核心技术已获得美国发明专利(US 14/389,452、US 15/357,707、US 15/360,472)、韩国发明专利（KR 10-1656596）、马来西亚发明专利（PI2014702883）和多项中国发明专利（ZL201610230120.X、ZL201610077283.9、ZL201310389099.4等），并获得2016年与2018年中国专利优秀奖（ ZL201310033073.6、ZL201210237553.X），2017年江西省专利奖（ZL 201310033073.6）等，奠定了赛维LDK高效硅片技术的领先地位。

       技术路线与规划

       赛维LDK凭借先进的生产设备与技术实力，不断致力于高效产品的研发与应用。具有自主知识产权的M系列高效多晶硅片，引领多晶硅片进入高效时代。高效多晶M2、M3、M4硅片以更高的转换效率，更加集中的效率分布，获得优异的市场份额。2018年推出赛单晶青山系列LM1硅片与高效多晶M6黑硅片；2019年，推出新一代尺寸赛单晶青山系列LM2（166+）硅片，效率与效益进一步提升。2020年，随着硅片尺寸大势所趋，研发推广赛单晶青山系列LM5（182mm）和LM6(210mm)硅片，其单片功率大幅增加。相比多晶硅片，赛单晶具有<10⁴/cm²的低位错密度，其单晶结构易形成金字塔绒面，与金刚线切片、PERC工艺匹配度更高，高效电池工艺效率可达22.4%，显著降低产品的衰减率与发电成本。